古河電気工業は2021年6月23日、光トランシーバーに搭載されるDFBレーザダイオードチップの生産能力を2倍超に増強すると発表した。5Gの実用化によるデータセンター、無線アクセスネットワークでの需要拡大に対応するためとしている。
光通信ネットワークの概観とDFBレーザダイオードチップの適用領域（点線丸囲み部）
データセンターやアクセス系ネットワークにおいては、小型かつ低消費電力を実現できる強度変調方式の光トランシーバが用いられている。発表によれば、近年は小型・高集積、かつ低消費電力、低コストの面で強みを持つシリコンフォトニクス技術が広く採用されており、単一波長で高出力な光源としてDFBレーザダイオードチップが多く搭載されている。通信トラフィックの増大にともなう光トランシーバの需要拡大により、搭載されるDFBレーザダイオードチップも今後さらに需要が高まると見込まれている。
古河電工は2000年からDFBレーザダイオードチップを製造。世界トップクラスの高光出力特性と高信頼性技術に定評を得ているという。今回、GAFAMの引き続き旺盛なデータセンター投資、および全世界的なアクセス系ネットワークでの帯域需要の高まりを受け、DFBレーザダイオードチップの生産能力を2倍超へ増強。また、今後も需要が高まることを踏まえ、さらなる増産投資も検討しているという。
